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b体育官网应用材料公司创新半导体芯片布线工艺:量产中首次使用钌电阻最高降幅25%

发布日期:2024-07-11 03:27 浏览次数:

  b体育官网应用材料公司创新半导体芯片布线工艺:量产中首次使用钌电阻最高降幅25%、衬垫厚度减少33%IT之家 7 月 10 日消息,应用材料公司(Applied Materials, Inc.)于 7 月 8 日发布新闻稿,宣布推出芯片布线创新技术,通过业内首次在量产中使用钌,让铜芯片布线 纳米节点及更高水平,且电阻最高降幅达到 25%。

  当前芯片的晶体管规模已经发展到数百亿级别,生产过程中需要使用微细铜线进行连接,总长度可能超过 95.5 公里。

  而在过去数十年发展中,业界的主要布线组合采用低介电常数薄膜和铜,蚀刻每一层低介电常数薄膜b体育官网入口在线,以形成沟槽,然后沉积一层阻障层,防止铜迁移到芯片中造成良率问题。

  接着b体育官网入口在线,在阻障层涂上一层衬垫,确保在最终的铜回流沉积过程中的附着力,从而缓慢地用铜填充剩余的体积,然后不断迭代改进微缩、性能和功耗等等。

  应用材料最新提出了增强版 Black Diamond,是现有 Black Diamond PECVD(等离子体增强化学气相沉积)系列的最新产品。

  这种新材料降低了最小的 k 值,微缩推进至 2 纳米及以下,同时提供更高的机械结构强度,对将 3D 逻辑和存储器堆栈升级到新的高度的芯片制造商和系统公司至关重要。

  应材最新的整合性材料解决方案 IMS(Integrated Materials Solution),在一个高真空系统中结合了六种不同的技术,包括业界首创的材料组合,让芯片制造商将铜布线 纳米及以下节点b体育官网入口在线

  该解决方案采用是钌和钴(RuCo)的二元金属组合,将衬垫厚度减少 33% 至 2nm,为无空隙铜回流产生更好的表面特性,此外线%,从而提高芯片性能和功耗。

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