b体育官网入口在线半导体的分类及性能(1)二极管(Diode):开关状态由主电路(功率电路)自身控制,因此又称为一被动开关、不可控开关。
(2)可控硅( Silicon controlled rectifier):又称为Thyristor(半导体闸流管),能够被低功率的控制信号打开,但只能由主电路(功率电路)自身来关断而不能被控制信号关断,因此又被称为半可控开关b体育官网入口网址。
(3)可控开关(Controllable switch):开通与关断都能由 低功率的控制信号实现。 目前,商品化的半导体可控开关包括GTO、IGCTb体育官网入口网址、田T与GTR、IGBT、VMOS,其电路符号如图1所示。
在半导体器件规模应用之前,电子管也曾经广泛用作功率开关。现在,功率半导体器件几乎全部取代了电子管器件,是因为我们特别在意功率开关的效。电子管器件自身的功耗很高,而且不能传送足够的电流。就像《西游记》里的“猪八戒”,虽然力气大,但是耐力不行,而且吃得太多;我们更需要“孙悟空”b体育官网入口网址,效率高、耐力强,吃的还不多。换言之,就是“马儿要跑,最好还要不吃草”。
·随着能量消费量的增加,设计的复杂程度增加,尤其是开关器件的散热问题变得尤为突出。表征这一因素的主要参数——“热阻”,就是半导体器件的核心参数之一。
开关速度受限:功率开关的开通与关断需要一定的时间,此时间内的功率开关处于放大状态,由 此带来的功耗称为开关功耗。
·开通、导电状态存在导通压降(饱和压降),由 此带来的功耗称为通态功耗,也称为传输功耗、传导功耗。
常见功率半导体器件的工艺技术水平比较见表1。为了对比,也将基本退出主流应用领域的电子管并列入内。表1
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